Принятые доклады

Объемные полупроводники 

Поверхность, пленки, слои 

Гетероструктуры и сверхрешетки 

Двумерные системы 

Одномерные и нульмерные системы 

Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм 

Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры) 

Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон) 

Органические полупроводники, молекулярные системы 

Углеродные наноматериалы 

Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника 

Полупроводниковые приборы и устройства 

Наномеханика 

Топологические изоляторы 

 

Пленарные доклады
Maurice Skolnick

Название будет объявлено позже

2 Октября 10:00 - 10:40

И.В. Кукушкин

Эффекты сильного взаимодействия в двумерных электронных системах. От арсенида галлия к новым гетероструктурам с тяжелой электронной массой.

6 Октября 12:30 - 13:10

З.Д. Квон

Топологические изоляторы на основе HgTe

6 Октября 13:10 - 13:50

 

Объемные полупроводники

Приглашенные доклады
В.В. Павлов

Спин-индуцированная генерация оптических гармоник в полупроводниках

3 Октября 15:10 - 15:40

Устные доклады
А.А. Горбацевич

Спонтанная электрическая поляризация: классическая картина без фазы Берри

3 Октября 15:40 - 16:00

А.М. Кадыков

Безмассовые кейновские фермионы в эпитаксиальных плёнках HgCdTe, индуцированные температурой

3 Октября 16:40 - 17:00

В.В. Румянцев

Релаксация носителей заряда в узкозонных эпитаксиальных слоях и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

3 Октября 16:20 - 16:40

М.А. Семина

Скейлинг экситонных параметров в закиси меди

3 Октября 16:00 - 16:20

Е.С. Юданова

Исследование структуры и фотоэлектронных свойств полупроводникового перовскита CH3NH3PbI3

3 Октября 17:00 - 17:20

 

Стендовые доклады
Л.Н. Алябьева

Electrodynamic response of semi-insulating InP:Fe in terahertz frequency region

М.А. Анисимов

Электронный транспорт и магнетизм в Yb0.9Eu0.1B6

А.Н. Афанасьев

Теория ударной ионизации в прямозонных полупроводниках

С.М. Бахарев

Влияние фокусировки фононов на плотность состояний и длины свободного пробега фононов в нанопроводах при низких температурах

С.Г. Бортников

Динамика температурного поля пленки диоксида ванадия при автоколебаниях тока

П.А. Бушуйкин

Электрофизические характеристики слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

М.Ш. Гасанова

Некоторые электрофизические свойства твердых растворов (In2Te3)1-x(Cd0,9Zn0,1Te)х Абилов Ч.И., Гасанова М.Ш. Азербайджанской Технический Университет, АZ1073, Баку, пр. Г.Джавид 25

А.А. Гладилин

Исследование распределения центров люминесценции в объёме нелегированных и легированных железом монокристаллов ZnSe методом двухфотонной конфокальной микроскопии

В.В. Глушков

Электронный транспорт и термоэдс фононного увлечения в YbB6

А.В. Дмитриев

Термоэлектрические свойства теллурида свинца и зона тяжёлых дырок

С.М. Емельянова

Магнитокалорический эффект в сплавах Гейслера на основе Ni-Mn-Sb

В.П. Калинушкин

Влияние легирования железом и хромом на примесно-дефектный состав кристаллов ZnSe

А.Э. Климов

Вольтамперные характеристики структур на основе пленок PbSnTe:In с переключением проводимости электрическим полем

И.В. Кочман

Особенности осцилляций Шубникова – де Гааза в селениде ртути с примесями железа и кобальта

А.Н. Кривоносов

Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs

А.Н. Кривоносов

Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs

И.И. Кулеев

Влияние фокусировки фононов на термоэдс увлечения в полупроводниковых кристаллах с вырожденной статистикой носителей тока

В.Г. Кытин

Электрофизические, оптические свойства и ЭПР-спектроскопия поликристаллических образцов CuCr1-xMgxO2.

Д.Н. Лобанов

Фотопроводимость слоёв InN, полученных методом МПЭ ПА

А.Т. Лончаков

Особенности магниторезистивных свойств монокристалла селенида ртути с предельно низкой концентрацией электронов

В.В. Марченков

Двухмагнонные процессы рассеяния и электросопротивление полуметаллического ферромагнитного сплава Гейслера Co2FeSi

А.М. Мусаев

Влияние гидростатического давления на статическую диэлек-трическую проницаемость Si и Ge

А.М. Мусаев

Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии

Д.В. Назипов

Спектр комбинационного рассеяния света ортосиликата Lu2SiO5: ab initio расчет

Г.н. Оразов

Зависящие от интенсивности нелинейно-оптические эффекты в фоторефрактивных кристаллах СБН

Ю.А. Перевозчикова

Полуметаллические ферромагнитные сплавы Гейслера на основе кобальта: электрические и гальваномагнитные свойства

С.А. Рожков

Неупругое рассеяние фотоэлектронов в p-GaN(Cs,O) - фотокатоде

Е.Л. Румянцев

Операторы плотности вероятности и потока плотности вероятности в теории Паули

Е.Л. Румянцев

Электронные операторы тока и плотности вероятности в модели Кейна

П.В. Семенихин

Примесный ферромагнетизм компенсированного Si:P в области фазового перехода изолятор – металл

Ю.А. Сергеев

Генерация второй гармоники оптического излучения из кремния в сильном ТГц поле

 

Поверхность, пленки, слои

Приглашенные доклады
В.Я. Принц

Полупроводниковые метаматериалы, фотонные кристаллы и фотонные топологические изоляторы для динамического управления терагерцовым и оптическим излучением

2 Октября 11:00 - 11:30

А.А. Саранин

Сверхпроводимость в двумерных эпитаксиальных монослоях на поверхности Si(111)

2 Октября 11:30 - 12:00

 

Устные доклады
П.А. Алексеев

Закрепление уровня Ферми на поверхности III-As нанопроводов

2 Октября 13:20 - 13:40

В.Л. Альперович

Эмиссия электронов из p-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством

4 Октября 15:20 - 15:40

П.Н. Брунков

Генерация собственных точечных дефектов в приповерхностных атомных слоях GaAs в процессе наноиндентации зондом атомно-силового микроскопа

4 Октября 16:00 - 16:20

В.А. Голяшов

Формирование топологической фазы на поверхности BiTeI

2 Октября 12:00 - 12:20

Д.А. Зайцев

Эффекты экситонной фотопроводимости GaAs: прямая оценка спектра и плотности поверхностных состояний

4 Октября 15:40 - 16:00

К.А. Лозовой

Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si

2 Октября 12:20 - 12:40

Т.В. Малин

Образование преципитатов Mg3N2 при легировании слоёв GaN магнием в аммиачной МЛЭ

2 Октября 12:40 - 13:00

А.С. Терехов

Металлический (Cs,O) – слой на поверхности p-GaAs(Cs,O) – фотокатода

4 Октября 15:00 - 15:20

В.Н. Трухин

Влияние поверхности на динамику фотовозбужденных носителей заряда в полупроводниковых нитевидных нанокристаллов GaAs

2 Октября 13:00 - 13:20

 

Стендовые доклады
Н.А. Абдуллаев

Ненапряжённые рабочие слои InAs0.62Sb0.38 на градиентных буферных слоях

Л.В. Арапкина

Формирование Ge/Si наноструктур с квантовыми точками

А.В. Бабичев

Селективный рост нитевидных кристаллов GaN на поверхности графена методом молекулярно-пучковой эпитаксии

В.В. Бакин

Полупрозрачный р-GaAs(Cs,O) – фотокатод с атомарно-гладкой эмитирующей поверхностью

В.А. Бессонова

Оптический отклик на туннельное магнитосопротивление в плёнках манганитов лантана с вариантной структурой

А.В. Васев

Особенности структурных изменений поверхности GaSb(001) при прогреве в потоках сурьмы и мышьяка

И.С. Васильевский

Изменение электрофизических свойств n+InAs(Si) тонкопленочных структур под воздействием реакторного нейтронного облучения

А.К. Герасимова

Оптические свойства плёнок HfOx(x<2) выращенных методом ионно-лучевого распыления-осаждения

В.И. Гребенников

Атомная и электронная структура тонких пленок Cu2ZnSn(Se,S)4 материалов для солнечной энергетики

С.А. Дворецкий

Эллипсометрический контроль параметров квантовых ям при выращивании лазерных структур на основе HgTe/CdxHg1-xTe

П.А. Дементьев

Электронные свойства интерфейса In2S3/InN

М.А. Елистратова

Влияние гамма облучения на свойства пористого кремния

Е.А. Емельянов

МЛЭ твёрдых растворов InAsxSb1-x на вицинальных подложках GaAs(001) с использованием потоков молекул As2 и As4

А.Г. Журавлев

Влияние ширины приповерхностной области изгиба зон на вероятность выхода электронов из Cs/GaAs

Е.В. Иванова

Формирование нанокомпозитного слоя в диоксиде кремния и его электрофизические свойства

И.В. Илькив

Формирование композитных пленок оксида кремния с включениями коллоидных наночастиц золота

Д.М. Казанцев

Кинетическое огрубление рельефа поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование

А.В. Кацюба

Расчет изменения температуры многослойных гетероструктур в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

А.В. Кацюба

Модифицирование поверхности CaF2 сфокусированным электронным пучком

В.Ю. Колосов

Формирование необычных трансротационных кристаллов, выявляемых дифракционной электронной микроскопией in situ при фазовых переходах в тонких аморфных плёнках

Е.В. Коненкова

Полуполярные нитриды алюминия и галлия на кремнии: роль фасетированной поверхности подложки

К.А. Конфедератова

Получение низкой плотности GaN/AlN КТ в процессе перераспределения вещества на поверхности смачивающего слоя

Т.В. Кузнецова

Исследование влияния соотношения галлия и индия на элекронную структуру и оптические свойства монокристаллов CuIn1-xGaxSe2

В.Г. Мансуров

Образование двумерного монослоя SiN на поверхности (111)Si в потоке аммиака

В.Г. Мансуров

Формирование графеноподобного AlN на поверхности (111)Si

А.Е. Маричев

Влияние условий роста твёрдых растворов GaInAsP изопериодных к InP на распределение компонентов пятой груп-пы по толщине эпитаксиального слоя

В.М. Микуушкин

Электронная структура слоя собственного оксида на поверхности n-GaAs (100)

В.М. Микушкин

Ионно-стимулированное преобразование слоя собственного оксида GaAs в слой диэлектрика Ga2O3

Д.С. Милахин

Механизм ускорения нитридизации сапфира быстрыми электронами

Н.Н. Михайлов

МЛЭ рост и характеризация лазерных структур с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для длинноволновой области спектра

В.Н. Неведомский

Особенности формирования гибридных ансамблей полупроводниковых квантовых точек InAs и полуметаллических нановключений As в GaAs

Л.С. Паршина

Тонкие пленки полупроводников для мемристоров

М.О. Петрушков

Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001), выращенных методом МЛЭ

К.А. Свит

Самосборка массивов нанокристаллов CdS, синтезированных в матрице Ленгмюра-Блоджетт на поверхности SiO2

Ж.В. Смагина

Зарождение и рост одиночных и двойных квантовых точек на структурированных подложках

Ж.В. Смагина

Природа центров зарождения наноостровков Ge на подложках Si, структурированных с помощью ионного облучения

В.А. Толмачев

Исследование оптических свойств и роли наночастиц серебра в процессе метал-стимулированного химического травления кремния

А.Р. Туктамышев

Формирование наногетероструктур GeSiSn/Si(100) с квантовыми ямами и массивом квантовых точек

И.Е. Тысченко

Квантово-размерный эффект и напряжения в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в захороненных слоях SiO2

Г.Э. Шайблер

Кинетика атомных процессов в (Cs,O) – слоях при формировании ОЭС – интерфейсов

Н.Л. Шварц

Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии

 

Гетероструктуры и сверхрешетки

Приглашенные доклады
С.С. Гаврилов

Пространственно-временной хаос и спонтанное упорядочение в сильнонеравновесных поляритонных системах

5 Октября 14:30 - 15:00

А.Ю. Миронов

Нелинейные эффекты в проводимости наноструктур в окрестности перехода сверхпроводник-изолятор по беспорядку

2 Октября 14:50 - 15:20

 

Устные доклады
А.А. Деменев

Влияние модуляции поляритонного потенциала на спиновые характеристики сильнонеравновесных поляритонных конденсатов

5 Октября 15:00 - 15:20

И.В. Игнатьев

Динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами

5 Октября 15:20 - 15:40

М.С. Каган

Проводимость сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами при комнатной температуре

4 Октября 17:10 - 17:30

В.П. Кочерешко

Проявление PT симметрии в экситонных спектрах квантовых ям

5 Октября 15:40 - 16:00

А.Ю. Маслов

Необыкновенные фононы в квантовых ямах

2 Октября 16:20 - 16:40

В.П. Попов

Неизоструктурные гетеропары кремния и сапфира для высоко-качественной электроники

2 Октября 17:00 - 17:20

А.В. Пошакинский

Резонансная оптомеханика в структурах с квантовыми ямами

2 Октября 15:20 - 15:40

В.А. Соловьев

Перспективные метаморфные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs для СВЧ электроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона

2 Октября 16:00 - 16:20

С.В. Сорокин

Молекулярно-пучковая эпитаксия и исследование гетероструктур с квантовыми точками CdTe/Zn(Mg)(Se)Te для источников одиночных фотонов

2 Октября 16:40 - 17:00

М.А. Фадеев

Стимулированное излучение в гетероструктурах на основе HgCdTe при температурах до 250 К

2 Октября 15:40 - 16:00

 

Стендовые доклады
Д.С. Абрамкин

Определение энергетического строения полупроводниковых гетероструктур с диффузионно-размытыми границами

А.В. Бабичев

Квантово-каскадные лазеры спектрального диапазона 5-10 мкм: эпитаксия и диагностика

Е.В. Богданов

Влияние одноосных деформаций и температуры на длину волны и поляризацию излучения лазерных диодов на основе гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs

Г.В. Будкин

Реализация экситонного фильтра в асимметричной системе квантовых ям с квантовыми точками

А.Н. Виниченко

Влияние концентрации донорного легирования кремнием на температурные зависимости электронных транспортных свойств 1δ-РНЕМТ квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs

А.Г. Гладышев

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, сформированные методом спекания

М.М. Глазов

«Темные» экситоны в монослоях дихалькогенидов вольфрама

А.Б. Гордеева

Оптическая диагностика спинодального распада в твердых растворах InGaAsP

Н.М. Горшкова

Концепция зонного инжиниринга при проектировании устройств генерации электромагнитного излучения на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs

Н.М. Горшкова

Теоретическое и экспериментальное изучение поперечной локализации токовых линий и эффектов шнурования в мультибарьерных гетероструктурах для генерации электромагнитного излучения терагерцового диапазона

А.А. Деменев

Спиновая динамика экситон-поляритонных конденсатов с ненулевым орбитальным моментов в GaAs микрорезонаторах

Я.В. Кузнецова

Обратимое и необратимое изменение люминесцентных свойств гетероструктур на основе III-N под воздействием облучения электронным пучком низких энергий

Л.А. Кулакова

Аномальный эффект вращения направления поляризации излучения гетеролазеров на квантовых точках, обусловленный ультразвуковой деформацией

Р.В. Левин

Особенности выращивания квантоворазмерных гетероструктур InAs/GaSb методом МОСГФЭ

И.Д. Лошкарев

Дислокационная структура и поворот кристаллической решетки пленки на отклоненной подложке Si (001)

А.М. Луговых

Гальваномагнитные свойства гетероструктур на основе GaAs c дельта-слоем марганца различной концентрации.

В.М. Михеев

Концентрационные максимумы электронной подвижности 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях

Н.В. Павлов

Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb с переходом в спин-отщепленную зону

Д.Ю. Протасов

Рассеяние двумерного электронного газа на акустических фононах при двух заполненных подзонах размерного квантования

М.А. Пятаев

Возможность усиления электромагнитного излучения полупроводниковой сверхрешеткой в магнитном поле при ненулевой температуре

М.А. Пятаев

Частичная локализация электронов в электрическом поле в сверхрешетке конечного размера

Д.А. Сафонов

Квантовый магнетотранспорт в 1δ-РНЕМТ гетероструктурах AlGaAs/InGaAs с высокой электронной плотностью

И.В. Седова

Гетеровалентный интерфейс InAs/(Cd,Zn)(Se,Te): структурные, электронные и химические свойства

З.Н. Соколова

Обобщённая теоретическая модель полупроводниковых лазеров на квантовых ямах и её экспериментальная проверка

Л.М. Сорокин

Структура буферных слоев Al(Ga)N на c-сапфировой подложке

А.Н. Софронов

Терагерцовая люминесценция примесей в квантовых ямах

М.П. Теленков

Межподзонное поглощение в структурах из квантовых ям в на-клонном магнитном поле

Е.В. Филатов

Влияние внешнего электрического поля на динамику релаксации фотовозбужденных дырок в гетероструктурах ZnSe/BeTe

Н.К. Чумаков

Анизотропия проводимости и квази-Холл-эффект в двумерном электронном газе гетероструктур AlGaN/AlN/GaN

Д.А. Шефер

Рекомбинация носителей заряда в гетероструктурах CdHgTe/Si(013) легированных донорными и акцепторными при-месями

А.В. Шорохов

Усиление высокочастотного электромагнитного излучения графеновой сверхрешеткой

 

Двумерные системы

Приглашенные доклады
А.Б. Ваньков

Коллективные возбуждения в двумерном Стонеровском ферромагнетике

3 Октября 09:30 - 10:00

А.В. Горбунов

Двумерный фермионый конденсат в магнитном поле

3 Октября 09:00 - 09:30

В.В. Соловьев

Перенормировка закона дисперсии квазичастиц в двумерной электронной Ферми-жидкости на гетеропереходах ZnO/MgZnO

5 Октября 16:40 - 17:10

А.В. Щепетильников

Электронный парамагнитный резонанс в сильнокоррелированных двумерных электронных системах в [001] AlAs квантовой яме.

4 Октября 15:00 - 15:30

М.В. Якунин

Аномалии квантового магнитотранспорта в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена

5 Октября 14:30 - 15:00

 

Устные доклады
И.В. Андреев

Безызлучательные осесимметричные плазменные моды в двумерных электронных системах

4 Октября 16:10 - 16:30

Г.В. Будкин

Эффекты электрического выпрямления и смешения частот в квантовых ямах в условиях циклотронного резонанса

3 Октября 10:20 - 10:40

Е.Е. Вдовин

Туннелирование через локализованные состояния в hBN барьере в вертикальных графен- нитрид бора – графен гетероструктурах

5 Октября 17:30 - 17:50

Ю.С. Воробьёва

Гигантская анизотропия магнитосопротивления и нелинейность эффекта Холла в полупроводниковых оболочках с двумерным электронным газом

4 Октября 16:50 - 17:10

А.В. Германенко

Спин-орбитальное расщепление зоны проводимости в квантовых ямах HgTe шириной 20 нм

5 Октября 15:20 - 15:40

П.А. Гусихин

Слабозатухающие плазменные возбуждения в двумерной электронной системе

4 Октября 16:30 - 16:50

К.С. Денисов

Аномальный эффект Холла в магнитных полупроводниках с нетривиальной структурой намагниченности

5 Октября 17:10 - 17:30

С.И. Дорожкин

Наблюдение одночастичных и коллективных щелей в спектре двухслойной электронной системы в квантующем магнитном поле

4 Октября 15:30 - 15:50

А.А. Заболотных

Магнитоплазмон-поляритоны в диссипативной двумерной электронной системе

4 Октября 15:50 - 16:10

Д.Р. Казанов

Оптическая активность киральных ван-дер-ваальсовых структур

3 Октября 11:20 - 11:40

Д.А. Козлов

Спиновая поляризация поверхностных электронов в трехмерном топологическом изоляторе на основе HgTe

5 Октября 15:40 - 16:00

В.Н. Манцевич

Влияние зарядовых локализованных состояний на спектр шума туннельного тока

3 Октября 11:00 - 11:20

Г.М. Миньков

Ренормализация спекта зоны проводимости в квантовых ямах HgTe

5 Октября 15:00 - 15:20

Н.Н. Михайлов

Оптические и фотоэлектрические свойства квантовых ям на основе твердых растворов CdxHg1-xTe.

5 Октября 16:00 - 16:20

В.А. Сабликов

Двухчастичные связанные состояния в двумерных электронных системах, описываемых моделью BHZ

3 Октября 10:40 - 11:00

А.В. Чаплик

Квантовое обобщение модели Томаса – Ферми

3 Октября 10:00 - 10:20

 

Стендовые доклады
Ю.Г. Арапов

Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Хол-ла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау

В.Е. Бисти

Резонансное отражение света от лафлиновской жидкости ν = 1/3

М.В. Боев

Поглощение света квантовой точкой в присутствии газа двумерных дипольных экситонов

Е.Е. Вдовин

Туннелирования между расщепленными уровнями Ландау в вертикальных графен- нитрид бора – графен гетероструктурах

И.Г. Горлова

Анизотропия магнетосопротивления в слоистом квазиодномерном полупроводнике TiS_3

С.В. Гудина

Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой

С.И. Дорожкин

Немонотонное заполнение электронных состояний под микроволновым излучением

И.Л. Дричко

Гигантские осцилляции высокочастотной проводимости в широкой квантовой яме GaAs при больших номерах уровней Ландау

М.В. Дурнев

Многозонная kp-модель и тонкая структура электронных состояний в монослоях дихалькогенидов переходных металлов

А.Н. Игнатенко

Двумерная локализация как переход типа Березинского-Костерлица-Таулесса

А.В. Иконников

Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe в постоянных магнитных полях до 30 Тл

А.В. Иконников

Зонный спектр квантовых ям HgTe/CdHgTe

Е.В. Ильченко

Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe

А.С. Клепикова

Расходимость холловской проводимости вблизи перехода в рези-стивное состояние для монокристаллических пленок Nd2–xCexCuO4 (x = 0.15)

Д.А. Козлов

Терагерцовые осцилляции магнитосопротивления в гетероструктурах на основе GaAs

А.А. Лотин

Усиление фотолюминесценции в тонких пленках оксида цинка, покрытых плазмонными наночастицами

А.Г. Милёхин

Плазмонное усиление комбинационного рассеяния света в полупроводниковых наноструктурах

Г.М. Миньков

Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe с инвертированным спектром

М.П. Михайлова

Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле

К.Д. Моисеев

Резонансное магнито-туннелирование в разъединенном гетеропереходе II типа с 2D-полуметаллическим интерфейсом

М.Ю. Морозов

Дисперсия и усиление плазмонов в гетероструктурах hBN-графен-hBN

В.Н. Неверов

Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe

С.Н. Николаев

Плазмонное усиление процессов многочастичной рекомбинации

С.Н. Николаев

О когерентности биэкситонного газа в SiGe структурах

Л.Н. Овешников

Осцилляции Шубникова – де Гааза в 2D системе с сильным флуктуационным потенциалом магнитной примеси

Л.Н. Овешников

Подавление квантовой интерференции в магнитной полупроводниковой двумерной системе

В.В. Оглобличев

Низкотемпературное исследование методом ЯМР полупроводникового минерала CuFeS2

С.М. Подгорных

Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe р-типа: эффект Холла и магнитосопротивление

О.В. Полищук

Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда при комнатной температуре

В.В. Попов

Поляризационно-зависимые плазмонные фототоки в двумерной электронной системе

М.Р. Попов

Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/ HgCdTe

А.П. Савельев

Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs

И.Г. Савенко

Резонанс Фано в гибридных электрон-экситонных системах

М.Л. Савченко

Емкостная спектроскопия системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовой яме

Ю.А. Сергеев

Оптическая эмиссия из графена в сильном ТГц поле

Н.П. Степина

Эффект Холла в прыжковой проводимости по двумерному массиву квантовых точек

В.А. Ткаченко

Перколяция в решетке антиточек: доля проводящих связей и критический индекс проводимости

В.А. Ткаченко

Скейлинг проводимости квадратных решеток с экспоненциально широкими распределениями кондактанса связей

Д.В. Фатеев

Эффект плазмонного электрон-дырочного храповика в графене

Т.Б. Чарикова

Квантовый фазовый переход антиферромагнетик-сверхпроводник в низкоразмерных неупорядоченных системах

М.В. Черемисин

Спектр магнетоплазмона при произвольной диссипации двумер-ного газа с учетом асимметрии в поперечном направлении

М.В. Черемисин

Уточнение критерия кристаллизации Вигнера и модель низкотемпературного транспорта двумерных систем

А.А. Шерстобитов

Разогрев электрическим током двумерного электронного и дырочного газа в квантовых ямах HgTe

А.Я. Шульман

Кинетическое уравнение для квазидвумерного электронного газа с непараболическим законом дисперсии

А.В. Щепетильников

Перенормировка эффективной массы электрона, задающей период индуцированных микроволновым излучением осцилляций сопротивления, в GaAs/AlGaAs гетероструктурах.

 

Одномерные и нульмерные системы

Приглашенные доклады
В.Я. Покровский

Когерентное скольжение волны зарядовой плотности при 600 К и другие свойства квазиодномерного соединения NbS3 (II)

6 Октября 09:30 - 10:00

 

Устные доклады
А.Д. Буравлев

Формирование массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов.

6 Октября 11:20 - 11:40

В.В. Вальков

Влияние магнитного поля на квантовый транспорт и поляризацию майорановского состояния в нанопроволоке со спин-орбитальным взаимодействием Рашбы

6 Октября 10:40 - 11:00

Р.З. Витлина

Неупругое рассеяние света в квантовом кольце с двумя взаимодействующими электронами

3 Октября 12:40 - 13:00

И.А. Деребезов

Исследование тонкой структуры экситонных состояний InAlAs квантовых точек

3 Октября 13:20 - 13:40

В.А. Зиновьев

Усиление фотолюминесценции в структурах с двойными квантовыми точками Ge в Si

6 Октября 10:20 - 10:40

В.В. Кириенко

Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляронами в слоях квантовых точек Ge/Si

6 Октября 10:00 - 10:20

А.Н. Косарев

Усиление фотолюминесценции квантовых точек InAs под влиянием близкорасположенного ансамбля наночастиц серебра

3 Октября 13:40 - 14:00

А.В. Ненашев

Пространственное распределение упругих деформаций в гетероструктурах с квантовыми точками: аналитический подход

6 Октября 11:00 - 11:20

А.В. Новиков

Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники

6 Октября 11:40 - 12:00

А.Г. Погосов

Подвешенные квантовые точечные контакты с усиленным электрон-электронным взаимодействием

3 Октября 12:00 - 12:20

Д.А. Похабов

Электронный транспорт в подвешенных кольцевых интерферометрах

3 Октября 12:20 - 12:40

Р.Р. Резник

Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства GaN, InN и A3B5 наноструктур на гибридной подложке SiC/Si(111)

3 Октября 13:00 - 13:20

 

Стендовые доклады
И.Д. Авдеев

Долинное расщепление в нанопроволоках из селенида свинца

И.А. Александров

Экситон-фононное взаимодействие в одиночных квантовых точках GaN/AlN, полученных методом капельной эпитаксии

Р.М. Балагула

Поглощение излучения среднего и дальнего ИК диапазонов в квантовых точках GeSi/Si

А.В. Белолипецкий

Структура электронных состояний в цепочке кремниевых нанокристаллов

В.А. Володин

Нанокристаллы Si, Ge и GexSi(1-x) в диэлектрических плёнках и аморфных pin структурах: формирование, оптические и электрофизические свойства

Н.Б. Груздев

Экситоны в нанокристаллах оксида никеля с сильными корреляциями

Д.В. Гуляев

Определяющая роль оболочки в люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра-Блоджетт

Д.С. Золотухин

Получение самоупорядоченного массива GaN/Si наноколонн методом ПА МПЭ с использованием нанопористого Si слоя

А.Н. Клочков

Электронный газ в квазиодномерных наноструктурах на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs

А.Н. Косарев

Фотолюминесценция квантовых точек InAs, заращенных слоем низкотемпературного GaAs

И.В. Крылов

Механизмы проводимости и фотовольтаические эффекты в композитных структурах с наночастицами

А.В. Кузнецов

Молекула Гайзенберга в магнитном поле

Л.Б. Матюшкин

Создание и исследование оптоэлектронных структур на основе квантовых точек и плазмонных наночастиц

В.С. Проценко

Электронный транспорт и магнитные свойства системы параллельных квантовых точек при наличии анизотропной гибридизации квантовых точек с контактами

С.С. Савченко

Температурные особенности экситонного поглощения и свечения квантовых точек InP/ZnS

А.М. Смирнов

Самодифракция на динамическом одномерном фотонном кристалле в коллоидном растворе квантовых точек

О.А. Ткаченко

Моделирование квантового точечного контакта в затворно-индуцированной двумерной дырочной системе

 

Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм

Приглашенные доклады
В.В. Белых

Пикосекундная спектроскопия микросекундной спиновой динамики в полупроводниковых структурах

3 Октября 09:00 - 09:30

И.В. Рожанский

Косвенное обменное взаимодействие в двумерных наноструктурах

2 Октября 14:50 - 15:20

Т.С. Шамирзаев

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной

3 Октября 09:30 - 10:00

 

Устные доклады
А.Н. Анисимов

Спиновые центры окраски в SiC как база для квантовых технологий, сенсорики с субмикронным разрешением в условиях окружающей среды

3 Октября 11:20 - 11:40

А.Д. Буравлев

Магнитные свойства (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов – формирование магнитных поляронов?

2 Октября 16:40 - 17:00

А.А. Головатенко

Влияние оборванных связей на рекомбинацию и спиновую поляризацию темного экситона в коллоидных наноплателетах CdSe

3 Октября 10:00 - 10:20

А.Ф. Зиновьева

Одновременная локализация двух электронов в разными g-факторами на одной Ge/Si квантовой точке

3 Октября 10:20 - 10:40

Е.Л. Ивченко

Электрон-ядерные спиновые биения при рекомбинации Шокли-Рида в режиме "накачка-зондирование"

2 Октября 17:00 - 17:20

В.М. Ковалев

Парамагнитный резонанс в спин-поляризованном бозе-конденсате экситонных поляритонов в присутствии беспорядка

2 Октября 16:20 - 16:40

Л.В. Котова

Гиротропия и магнитоиндуцированная пространственная дисперсия в полупроводниковых квантовых ямах

2 Октября 15:40 - 16:00

И.В. Крайнов

Спиновая релаксация двумерного электронного газа на скоррелированных магнитных примесях

2 Октября 16:00 - 16:20

А.В. Ларионов

"Когерентная спиновая динамика двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме при одномерной латеральной локализации"

3 Октября 10:40 - 11:00

А.А. Родионов

Полупроводниковый спин-детектор с пространственным разрешением

3 Октября 11:00 - 11:20

Д.С. Смирнов

Теория неравновесных флуктуаций одиночного спина

2 Октября 15:20 - 15:40

 

Стендовые доклады
А.С. Агликов

Магнитное упорядочение в тонких плёнках ZnO, легированных Mn, Fe57

П.С. Алексеев

Интерфейсный вклад в спин-орбитальное взаимодействие в симметричных квантовых ямах

С.С. Аплеснин

Магнитоимпеданс и магнитосопротивление халькогенидов марганца в парамагнитной области

А.А. Вишняков

ВЛИЯНИЕ ТЕРМОБАРИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРИ-ЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ГЕЙСЛЕРА НА ОСНОВЕ NI-MN-IN

Т.Е. Говоркова

Экспериментальное изучение гибридизации и спонтанной спиновой поляризации электронных состояний примесей кобальта низкой концентрации в кристалле селенида ртути

А.П. Деточенко

Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью

Е.А. Дикушина

Динамика спин-орбитального экситона в Sr2IrO4 с учетом хундовского взаимодействия

С.В. Зайцев

Поляризация носителей в ферромагнитных гетероструктурах InGaAs/GaAs/δ-Mn

А.В. Здоровейщев

Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs

А.С. Козулин

Электронный транспорт в квазиодномерных волноводах со спин-орбитальным взаимодействием: проявления дополнительной спиновой симметрии

А.А. Конаков

Спиновые хеликсы в двумерных полупроводниковых системах

М.И. Куркин

Влияние магнитной анизотропии на формирование магнитных подрешеток в антиферромагнетиках

Л.В. Луцев

Спиновые явления в гетероструктурах нанометровая пленка YIG / полупроводник

И.И. Ляпилин

Влияние “инжектированных” и “термических” магнонов на спин-волновой ток в структурах металл/магнитный диэлектрик

А.А. Максимов

Динамика намагниченности ионов Mn2+ в фотовозбужденных полумагнитных A2B6 полупроводниковых наноструктурах

С.Г. Новокшонов

Внутренний аномальный эффект Холла в двумерном неупорядоченном ферромагнетике Рашбы

В.П. Попов

ОДМР ансамблей NV-центров в алмазных наноструктурах

Д.С. Смирнов

Теория спин-зависимых транспортных явлений в двумерных системах с прыжковой проводимостью

Э.Х. Степанец-Хуссейн

Спиновая когерентность двумерного электронного газа вблизи нечётных факторов заполнения

О.С. Трушин

Особенности энергетического рельефа прямоугольного магнит-ного наноострова

И.Н. Туджанова

Электрические и магнитные свойства упорядоченных сплавов Cu3Al, легированных магнитными примесями (Ni, Mn)

А.В. Черненко

Конденсат поляритонов в микрорезонаторных микростолбиках в сильных магнитных полях

 

Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры)

Приглашенные доклады
Н.С. Аверкиев

Переориентация ян-теллеровских комплексов в кубических полупроводниках

3 Октября 12:00 - 12:30

В.С. Кривобок

Оптическая спектроскопия на основе «квантовых зондов» для исследования дефектов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах

3 Октября 12:50 - 13:20

 

Устные доклады
В.Я. Алешкин

Каскадный захват электронов на заряженные доноры в условиях импульсного возбуждения

3 Октября 13:20 - 13:40

И.В. Жевстовских

Индуцированное магнитным полем смягчение упругого модуля в кристалле ZnSe:Cr2+

3 Октября 12:30 - 12:50

Р.В. Парфеньев

Пик-эффект на зависимости магнитного момента от температуры и магнитного поля в сверхпроводящем PbSnTe:In

3 Октября 13:40 - 14:00

 

Стендовые доклады
N.A. Timofeeva

Исследование дефектно-примесного состава границ зерен диффузионно легированного Fe2+:ZnSe методом двухфотонной конфокальной микроскопии

И.А. Александров

Природа оранжевой полосы фотолюминесценции в AlN

Д.Ф. Аминев

Рассеяние поверхностных акустических волн протяженными дефектами в кристаллах CdZnTe

Г.Б. Галиев

Акцепторное легирование кремнием структур на основе низко-температурного GaAs

А.М. Гилинский

Люминесценция дефектов в слоях InAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

К.С. Журавлев

Трансформация структуры и напряжений в сильно легирован-ных слоях AlGaN:Si при содержании Al более 0.5

И.И. Ижнин

Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe

А.В. Инюшкин

Теплопроводность монокристаллов CVD- и HPHT-алмазов

А.В. Инюшкин

Влияние изотопного состава на теплопроводность монокристаллов 6H SiC

Д.В. Ищенко

Фотопроводимость в p-i-p структурах на основе плёнок Pb1-xSnxTe:In при межзонном возбуждении

Б.Б. Ковалев

Гальваномагнитные свойства теллурида свинца, легированного никелем

Б.Б. Ковалев

Резонансный уровень железа в сплавах Pb1-xSnxTe

В.А. Ковальский

Особенности формирования перекрестно-штриховой морфологии поверхности в эпитаксиальных гетероструктурах с малым рассогласованием параметра кристаллической решетки

Д.В. Козлов

Исследование мелких акцепторных центров в Hg1-xCdxTe

И.А. Кокурин

Пьезоспектроскопическое исследование A+-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

В.А. Кравец

Процесс медленной деградации лазерных гетероструктур на основе соединений А2В6

В.С. Кривобок

Оптические свойства моноизотопных GeV- центров окраски в изотопически чистой алмазной матрице С12 и С13

В.А. Кульбачинский

Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллуридов висмута и сурьмы

И.Д. Лошкарев

Дефектная структура и электрофизические параметры монокристаллов германия, полученных в условиях низких градиентов температур

Н.Н. Ормонт

Аномальный эффект Стеблера-Вронского в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния

И.В. Осинных

Природа широкополосной люминесценции и стимулированное излучение сильно легированных слоев AlGaN:Si с содержанием алюминия выше 0.5

П.В. Петров

Влияние кулоновских корреляций на оптические спектры ком-пенсированных полупроводников

Н.К. Полетаев

Спектры поглощения и схема уровней энергии ионов эрбия в кристаллах AlN:Er3+

Ю.В. Рябчиков

Полупроводниковые кремниевые наночастицы с плазмонными свойствами

О.А. Солтанович

Исследование электрически активных дефектов в ферромагнитных гетероструктурах (Ga,Mn)As/(In,Ga)As

Т.П. Суркова

О новых образованиях в обратной решётке кубического кристалла ZnSe при сильном легировании ионами ванадия

Т.П. Суркова

Проявление дестабилизации кристаллической структуры на картинах нейтронного рассеяния объёмных кубических кристаллов халькогенидов цинка с ян-теллеровскими 3d- ионами, в зависимости от сорта и содержания примеси

Н.Х. Талипов

О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути

О.С. Трушин

Механизмы зарождения дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах GexSi(1-x)/Si(001)

С.И. Ченцов

Два типа изолированных (квантовых) излучателей сформиро-ванных ядром дислокации в кристаллах CdZnTe

С.И. Ченцов

Излучение одиночных дислокаций в широкой квантовой яме ZnMgSSe/ZnSe

В.И. Черничкин

Фурье-спектроскопия фотопроводимости Pb1-xSnxTe(In)

М.Д. Шарков

Рентгеновские исследования магнитных компонент в синтезированных образцах фосфата лития-железа

Д.В. Юрасов

Сегрегация Sb в SiGe структурах, выращенных методом МПЭ: влияние компонентного состава, упругих напряжений и кристаллографической ориентации подложки

М.В. Якушев

Влияние содержания меди на оптические свойства тонких пленок Cu2ZnSnSe4

 

Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон)

Приглашенные доклады
Л.Е. Голуб

Эффекты магнитного храповика в латеральных сверхрешетках

5 Октября 11:30 - 12:00

 

Устные доклады
П.С. Алексеев

Высокочастотный магнетотранспорт в вязкой двумерной электронной жидкости

5 Октября 12:00 - 12:20

А.А. Дубинов

Усиление терагерцового излучения в структурах HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

5 Октября 13:00 - 13:20

А.А. Капустин

Минимумы поглощения микроволнового излучения на гармониках циклотронного резонанса и эффекты памяти в примесном рассеянии двумерных электронов.

5 Октября 12:40 - 13:00

С.А. Тарасенко

Эффект электронного дрожания в полупроводниках

5 Октября 12:20 - 12:40

 

Стендовые доклады
А.Н. Анисимов

Высокочастотные спектрометры нового поколения для ЭПР и ОДМР исследований полупроводников и их наноструктур

Г.Б. Галиев

Генерация импульсов ГГц-излучения фотопроводящими антеннами на основе пленок In0.5Ga0.5As, выращенных на подложках GaAs (100) и (111)А в различных температурных режимах

З.Д. Квон

Гигантский терагерцовый фотокондактанс туннельного точечного контакта

А.Н. Клочков

Генерация импульсного ТГц-излучения поверхностью эпитаксиальных структур на основе низкотемпературного GaAs (111)A

М.А. Ормонт

Частотная зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка

А.В. Телегин

Динамика магнитооптических эффектов в ферромагнитных шпинелях в области примесных переходов

А.В. Телегин

Анализ магнитостатических спиновых волн в планарных структурах на основе пермаллоя

 

Органические полупроводники, молекулярные системы

Устные доклады
М.А. Дронов

Память на основе резистивных переключений в органических материалах: моделирование и перспективы создания устройств

5 Октября 17:40 - 18:00

М.Н. Журавлёв

Локализация фононов в ветвящихся органических проводниках на основе транс-полиацетилена

5 Октября 17:00 - 17:20

А.Г. Казанский

Особенности спектров фотопроводимости и фотоиндуцированных состояний в пленках MAPbI3 перовскитов

5 Октября 17:20 - 17:40

М.С. Котова

Топология проводящих каналов при резистивных переключениях в структурах на основе композиционных материалов

5 Октября 16:40 - 17:00

С.В. Новиков

Дрейф и диффузия носителей заряда в аморфных полупроводниках с экспоненциальной пространственно коррелированной плотностью состояний

5 Октября 16:00 - 16:20

 

Стендовые доклады
И.А. Белогорохов

Инфракрасная спектроскопия композитных материалов на основе MEH-PPV и TiO2

И.А. Белогорохов

Особенности спектральных зависимостей поглощения композитных материалов на основе сахаридов в средней ИК- области

 

Углеродные наноматериалы

Приглашенные доклады
Е.Д. Образцова

Электрическое сопротивление пленок из заполненных одностенных углеродных нанотрубок

5 Октября 12:00 - 12:30

Р.А. Хмельницкий

Алмаз для электроники и оптики: проблемы получения монокристаллических пластин большого размера

5 Октября 11:30 - 12:00

 

Устные доклады
Е.С. Жукова

Зарядовый транспорт в тонких пленках одностенных УНТ

5 Октября 13:10 - 13:30

А.А. Лебедев

Сенсоры на основе пленок графена, полученных термодеструк-цией поверхности полуизолирующих подложек SiC

5 Октября 12:50 - 13:10

Г.В. Тихомирова

Транспорт и фазовые переходы в углеродных материалах при высоких давлениях

5 Октября 12:30 - 12:50

 

Стендовые доклады
Н.М. Барбин

Компьютерное моделирование термических процессов в фуллерене

В.М. Ефимов

Моделирование образования перколяционных каналов в тонких плёнках углеродных нанотрубок графическим методом

А.А. Коньшин

Исследование поверхностного потенциала деформированных углеродных нанотрубок методом зонда Кельвина

Е.П. Неустроев

Модифицированный в плазме SF6 оксид графена

М.В. Ноговицына

Исследование свойств оксида графена модифицированного наноразмерными частицами серебра

А.А. Шатунова

Влияние пластической деформации алюминий-графеновых композитов на дефектность графена

 

Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника

Приглашенные доклады
С.Г. Тиходеев

Лазер циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводникового микрорезонатора с киральным фотонным кристаллом

2 Октября 11:00 - 11:30

А.А. Федянин

Фемтосекундная нелинейная нанофотоника метаповерхностей на основе субволновых кремниевых дисков

2 Октября 13:10 - 13:40

 

Устные доклады
В.В. Капаев

Особенности распределения электромагнитного поля в ограниченном одномерном фотонном кристалле

2 Октября 12:10 - 12:30

В.Д. Кулаковский

Хиральные фотонно-кристаллической структуры для лазерных излучателей циркулярно поляризованного света в экситон-поляритонном режиме

2 Октября 11:30 - 11:50

А.А. Максимов

Спектральные и поляризационные свойства излучения искусственно созданных хиральных полупроводниковых наноструктур

2 Октября 11:50 - 12:10

Т.А. Уклеев

Собственная оптическая анизотропия кубических кристаллов: многоволновая дифракция в опалах и пространственная дисперсия в закиси меди

2 Октября 12:50 - 13:10

В.В. Чалдышев

Экситонный брэгговский отражатель на основе квантовых ям InGaN

2 Октября 12:30 - 12:50

 

Стендовые доклады
П.А. Алексеев

Плазмонная анизотропия металлических нанокластеров на поверхностях полупроводников

К.В. Барышникова

Исследование состояний анапольного типа в наноструктурах с высоким показателем преломления

В.К. Егоров

Рентгеновская нанофотоника на базе плоских волноводно-резонансных структур

С.В. Зайцев

Геометрический фактор в люминесценции наносфер Y2O3 - ZnO

А.А. Лямкина

Гибридные металл-полупроводниковые структуры на основе V-образных каналов в Si и GaAs

М.В. Степихова

Возможности управления люминесцентными свойствами структур с наноостровками Ge(Si) в низкоразмерных резонаторах на базе фотонных кристаллов

В.И. Ушанов

Брэгговская дифракция на системе плазмонных наночастиц AsSb в AlGaAs

Н.М. Шубин

Особые точки в волноводах и квантовых проводниках и слияние резонансов Фано

 

Полупроводниковые приборы и устройства

Приглашенные доклады
Н.А. Малеев

Одномодовые поляризационно-стабильные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры

5 Октября 09:00 - 09:30

 

Устные доклады
В.Я. Алешкин

Лазеры с квантовыми ямами InGaAs, выращенные МОС-гидридной эпитаксией на Ge/Si(001) подложках

5 Октября 09:50 - 10:10

И.А. Деребезов

Селективно позиционированные излучатели одиночных фотонов на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки

5 Октября 10:30 - 10:50

И.И. Засавицкий

Квантовый каскадный лазер на основе GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5,5 мкм

5 Октября 09:30 - 09:50

Е.С. Колодезный

Бесфосфорные лазеры с пассивной синхронизацией мод, излучающие на длине волны 1550 нм

3 Октября 15:30 - 15:50

А.Г. Кузьменков

Влияние конструкции InAlAs/AlAs/InAlAs барьерного слоя на характеристики гетеробарьерных варакторов для умножителей частоты мм диапазона

5 Октября 10:10 - 10:30

М.А. Ладугин

Мощные многоэлементные лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона с повышенным КПД

3 Октября 16:10 - 16:30

С.В. Морозов

Стимулированное излучение вплоть до 20 мкм на межзонных переходах в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

3 Октября 15:10 - 15:30

П.Б. Родин

Пикосекундное ударно-ионизационное переключение полупроводниковых структур без p-n переходов

3 Октября 16:50 - 17:10

О.В. Снигирев

Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремнии

3 Октября 16:30 - 16:50

Г.С. Соколовский

Генерация второй гармоники при дробном порядке периодической поляризации

3 Октября 15:50 - 16:10

А.Ф. Цацульников

Монолитные полихромные InGaN/GaN светодиоды

5 Октября 10:50 - 11:10

 

Стендовые доклады
М.С. Аксенов

Барьерные характеристики Au/Ti/n-InAlAs диода Шоттки

М.В. Басов

Разработка интегрального чувствительного элемента давления на основе биполярного тензотранзистора

Д.А. Веселов

Использование слоёв энергетических барьеров в мощных полупроводниковых лазерах диапазона 1400-1600 нм

Д.А. Веселов

Измерение токовой зависимости внутренних оптических потерь полупроводниковых лазеров различных конструкций

В.А. Воронковский

О влиянии состава плёнок оксида гафния на электрофизические свойства мемристоров TaN/HfOx/Ni

А.А. Гладилин

Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования пространственного распределения люминесцентных характеристик в объеме полупроводниковых материалов

М.В. Дорохин

Тонкие эпитаксиальные слои Mn(x)Si(1-x)/Si как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии

К.С. Журавлев

InSb гетероструктуры для матричных фотоприемных устройств

Э.Г. Зайцева

Подвижность носителей заряда в условиях взаимосвязи потенциалов границ раздела тонкопленочных КНИ структур

А.А. Лебедев

Воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе SiC

Б.А. Матвеев

Фотодиоды на основе InAs0.7Sb0.3, работающие при неглубоком охлаждении

Д.М. Мелебаев

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе наноструктур Au-Ga2O3(Fe)-n-GaAs0.6P0.4

О.В. Наумова

Способы увеличения чувствительности кремниевых нанопрово-лочных сенсоров

А.В. Новиков

Применение селективного травления структур с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками для повышения эффективности Si солнечных элементов

С.В. Ордин

Оптико-электрические измерения термо-эдс в структурах с р-п переходом.

З.Ш. Пирмагомедов

Метод определения инверсного слоя

Н.И. Подольская

Численное моделирование пикосекундного лавинного переключения n+-n-n+ структур

Н.К. Полетаев

Диагностика полупроводниковых приборных структур генерацией электронов с преимущественным направлением углового момента.

П.Б. Родин

Токовые локализации при пикосекундном лавинном переключении высоковольтных диодных структур с технологическими неоднородностями

М.А. Ройз

Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи

О.В. Снигирев

Биоспецифические и локальные сенсоры на основе полевых транзисторов с каналом-нанопроводом из кремния на изоляторе

А.М. Стрельчук

Влияние электронного облучения на электрические и электро-люминесцентные характеристики 4H-SiC n+p структур

С.П. Супрун

Исследование электрофизических свойств эпитаксиальных слоёв твердого раствора PbSnTe при введении индия

Е.А. Суровегина

Характеристики дельта-легированных бором слоёв CVD алмаза

О.Е. Терещенко

Фотоэмиссионные и инжекционные свойства вакуумного фотодиода с полупроводниковыми электродами с эффективным отрицательным электронным сродством

Н.С. Филиппов

Микрофлюидый датчик расхода жидкости на основе кремниевой микроканальной мембраны

В.А. Шутаев

Фотоэлектрический сенсор водорода на основе структуры Pd-Oxide-InP

 

Наномеханика

Приглашенные доклады
А.А. Шевырин

Физический механизм влияния колебаний на электронный транспорт в наноэлектромеханических системах с двумерным электронным газом

4 Октября 16:20 - 16:50

 

Устные доклады
Е.Ю. Жданов

АСМ измерения упругих свойств наноструктур

4 Октября 16:50 - 17:10

С.В. Ордин

Локальные термоэлектрические эффекты

4 Октября 17:10 - 17:30

 

Топологические изоляторы

Приглашенные доклады
З.Д. Квон

Терагерцовый отклик двумерного топологического изолятора

6 Октября 11:20 - 11:50

С.С. Криштопенко

Новые двумерные топологические изоляторы на основе InAs/GaSb

5 Октября 09:30 - 10:00

А.Ю. Кунцевич

Топологические материалы и тонкие пленки на основе халькогенидов висмута.

6 Октября 09:30 - 10:00

В.В. Тугушев

Квантовый аномальный эффект Холла в наноструктурах на основе ферромагнтных топологических изоляторов

5 Октября 09:00 - 09:30

 

Устные доклады
Б.А. Аронзон

Магнетизм и магнетосопротивление в топологическом изоляторе Bi2Se3, легированном Eu

6 Октября 10:20 - 10:40

В.А. Волков

Аналитическая модель экзотических поверхностных состояний в топологических полуметаллах

5 Октября 10:40 - 11:00

В.И. Гавриленко

Магнитооптика 2D топологических изоляторов InAs/GaSb/InAs

5 Октября 10:00 - 10:20

М.В. Дурнев

Оптические и фотогальванические свойства краевых состояний в двумерных топологических изоляторах на основе HgTe

6 Октября 11:50 - 12:10

С.В. Зайцев-Зотов

Энергетическая структура топологических изоляторов семейства Bi2TexSe(3-x) вблизи протяженных дефектов поверхности

6 Октября 10:00 - 10:20

О.Е. Терещенко

Электронная и спиновая структура монослоя Bi: 2D топологический изолятор и графен-подобная система

6 Октября 11:00 - 11:20

Д.Р. Хохлов

Терагерцовое зондирование поверхностных состояний в топологически нетривиальных полупроводниковых материалах

6 Октября 10:40 - 11:00

М.В. Энтин

Состояния и кинетика краевых электронов в двумерном топологическом изоляторе

5 Октября 10:20 - 10:40

 

Стендовые доклады
Н.А. Абдуллаев

Поверхностные электронные состояния в тонких плёнках Bi2Te2.7Se0.3

Л.С. Брагинский

Емкость краевых состояний двумерного топологического изолятора

А.В. Галеева

Терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе твердых растворов Hg1-xCdxTe

А.А. Добрецова

Состояние топологического изолятора и биения в осцилляциях Шубникова – де Гааза в широкой яме HgTe

С.В. Еремеев

Температурно-индуцированные топологические фазовые переходы в Ge2Sb2Te5

А.М. Кадыков

Топологический фазовый переход в КЯ HgTe/CdHgTe под действием температуры

С.С. Криштопенко

Фазовые состояния в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe

В.Д. Курилович

Косвенное обменное взаимодействие магнитных примесей, расположенных вблизи края двумерного топологического изолятора

П.Д. Курилович

Косвенное обменное взаимодействие магнитных примесей в двумерном топологическом изоляторе на основе квантовой ямы CdTe/HgTe/CdTe

М.М. Махмудиан

Насколько линеен спектр краевых состояний двумерного топологического изолятора?

Ю.А. Сурнин

Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантовые состояния топологического изолятора Bi2Se3

Р.В. Туркевич

Затухание Ландау в дираковских полуметаллах и новые коллективные возбуждения

Н.И. Федотов

Точка Дирака топологических изоляторов в сканирующей туннельной спектроскопии

В.В. Чистяков

Размерный эффект в электронном транспорте тонких пленок Bi2Se3 и PtSn4